STD13NM60N 代理ST ADI IDT FH INTEL IR 盡在亞泰盈科
發(fā)布時間：2016/7/3
標準包裝  | 2,500 |
|---|---|
| 類別 | 分立半導體產(chǎn)品 |
| 家庭 | FET - 單 |
| 系列 | MDmesh? II |
| 包裝 | 帶卷（TR） |
| FET 類型 | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 功能 | 標準 |
| 漏源極電壓（Vdss） | 600V |
| 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） | 11A（Tc） |
| 不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） | 360 毫歐 @ 5.5A，10V |
| 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250μA |
| 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg） | 30nC @ 10V |
| 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss） | 790pF @ 50V |
| 功率 - 最大值 | 90W |
| 工作溫度 | 150°C（TJ） |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 | TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 |
| 供應商器件封裝 | D-Pak |
