STD80N6F6 代理ST ADI IDT FH INTEL IR 盡在亞泰盈科
發(fā)布時(shí)間：2016/7/3
標(biāo)準(zhǔn)包裝  | 2,500 |
|---|---|
| 類(lèi)別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
| 家庭 | FET - 單 |
| 系列 | DeepGATE?，STripFET? VI |
| 包裝 | 帶卷（TR） |
| FET 類(lèi)型 | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 功能 | 標(biāo)準(zhǔn) |
| 漏源極電壓（Vdss） | 60V |
| 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） | 80A（Tc） |
| 不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） | 6.5 毫歐 @ 40A，10V |
| 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） | 4.5V @ 250μA |
| 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg） | 122nC @ 10V |
| 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss） | 7480pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 120W |
| 工作溫度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安裝類(lèi)型 | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 | TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 |
| 供應(yīng)商器件封裝 | DPAK |
