STD150N3LLH6 代理ST ADI IDT FH NO INTEL IR 盡在亞泰盈科
發(fā)布時間:2016/7/4

標(biāo)準(zhǔn)包裝 ![]() | 2,500 |
|---|---|
| 類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
| 家庭 | FET - 單 |
| 系列 | DeepGATE?,STripFET? VI |
包裝 ![]() | 帶卷(TR)![]() |
| FET 類型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
| FET 功能 | 標(biāo)準(zhǔn) |
| 漏源極電壓(Vdss) | 30V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時) | 80A(Tc) |
| 不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) | 2.8 毫歐 @ 40A,10V |
| 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250μA |
| 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg) | 29nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss) | 3700pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 110W |
| 工作溫度 | 175°C(TJ) |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 | TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 |
| 供應(yīng)商器件封裝 | D-Pak |



