IXXN110N65C4H1[IGBT 650V 210A 750W SOT227B] 可控硅模塊
發(fā)布時(shí)間：2016/9/18
制造商: IXYS
產(chǎn)品種類: IGBT 模塊
RoHS: 符合RoHS
產(chǎn)品: IGBT Silicon Modules
配置: Single Dual Emitter
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 650 V
集電極—射極飽和電壓: 1.98 V
在25 C的連續(xù)集電極電流: 210 A
柵極—射極漏泄電流: 100 nA
Pd-功率耗散: 750 W
封裝 / 箱體: SOT-227B-4
最大工作溫度: + 175 C
封裝: Tube
商標(biāo): IXYS
柵極/發(fā)射極最大電壓: 20 V
最小工作溫度: - 55 C
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
系列: IXXN110N65
工廠包裝數(shù)量: 10
商標(biāo)名: XPT
單位重量: 38 g
聯(lián)系人：馬秋生
QQ :2355705596
電話：0755-83677682
傳真：0755-83759885
地址：深圳市福田區(qū)佳和華強(qiáng)大廈A座2101
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