類別 分立半導體產品
家庭 晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET?
包裝 帶卷(TR)
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 功能 邏輯電平柵極,1.8V 驅動
漏源極電壓(Vdss) 12V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時) 4.3A(Ta)
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 50 毫歐 @ 4.3A,4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 950mV @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg) 15nC @ 5V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss) 830pF @ 10V
功率 - 最大值 1.3W
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商器件封裝 Micro3?/SOT-23
聯系人:馬秋生
QQ :2355705596
電話:0755-83677682
傳真:0755-83759885
地址:深圳市福田區(qū)佳和華強大廈A座2101
價高可談。
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