IRFR024NTRPBF 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N溝道 TO-252 IRFR024N
發(fā)布時(shí)間：2016/9/27
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭 晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET?
包裝 帶卷（TR）
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能 標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓（Vdss） 55V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 17A（Tc）
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 75 毫歐 @ 10A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg） 20nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss） 370pF @ 25V
功率 - 最大值 45W
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應(yīng)商器件封裝 D-Pak
聯(lián)系人：馬秋生
QQ :2355705596
電話：0755-83677682
傳真：0755-83759885
地址：深圳市福田區(qū)佳和華強(qiáng)大廈A座2101
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買賣IC：a13168780808.mmic.net.cn/
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