華邦電成功自行開發(fā)3x納米DRAM Q4量產(chǎn)
發(fā)布時間：2016/10/17
存儲器大廠華邦電子總經(jīng)理詹東義在活動中指出，近年強攻車用及工控等市場有成，第2季營收占比已達16%，而第4季客戶需求強勁，該公司的產(chǎn)能已被預(yù)訂。另外，華邦電已成功完成自行開發(fā)的3x納米DRAM制程，第4季可望開始進入量產(chǎn)，法人看好華邦電明年獲利將出現(xiàn)跳躍性成長。
??華邦電今年在利基型存儲器市場持續(xù)擴增市占率，DRAM及NOR/NAND Flash等產(chǎn)品線陸續(xù)打進蘋果、三星等國際大廠供應(yīng)鏈。雖然三星此次宣布停產(chǎn)Note 7，但詹東義表示，華邦電供應(yīng)三星多款機種，而且還有供應(yīng)給其它手機品牌大廠，因此Note 7停產(chǎn)不會對華邦電營運造成影響。
??受惠于DRAM價格持續(xù)走高，華邦電9月合并營收月增1.6%、達新臺幣36.32億元，持續(xù)改寫10年來單月營收新高;第3季合并營收季增2.2%、達新臺幣107.33億元，與去年同期相較成長12.6%，表現(xiàn)優(yōu)于市場預(yù)期。累計今年前3季度營收達新臺幣313.17億元，較去年同期成長9.8%。
??由于第4季DRAM價格持續(xù)調(diào)漲，華邦電營收將開始反應(yīng)漲幅效應(yīng)，法人看好華邦電營收持續(xù)創(chuàng)高，而且明年第1季營運不看淡。
??另外，華邦電董事長焦佑鈞15日也宣布好消息，華邦電已經(jīng)成功自行開發(fā)的3x納米DRAM制程技術(shù)，是中國臺灣首家成功自行開發(fā)納米級DRAM技術(shù)的廠商。
??事實上，華邦電近幾年營收表現(xiàn)平穩(wěn)，主要是DRAM制程已經(jīng)有6年沒有微縮，而且近幾年全球DRAM市場進行整合，華邦電不想買授權(quán)只做代工，但仍然自行投入研發(fā)提高技術(shù)能力。
??此次，該公司自行開發(fā)的3x納米順利完成研發(fā)，等于是中國臺灣擁有自主研發(fā)DRAM技術(shù)的存儲器廠，今年第4季就可進入量產(chǎn)。
??另外，華邦電的Fab C新廠將在年底裝機，明年第1季可以開始進行投片，明年第3季可以開始挹注營收，屆時將可為華邦電營運帶來明顯的成長動能。
??法人表示，華邦電DRAM制程長達6年的空窗期今年底會解除，2018年還會投入2x納米制程量產(chǎn)，營運上已經(jīng)走出谷底，可望開始透過技術(shù)升級來追成營運成長。
??在快閃存儲器部份，華邦電主要生產(chǎn)國際大廠已經(jīng)淡出的低容量NAND Flash，近年來積極卡位獲利穩(wěn)定的汽車及工控市場有成，已經(jīng)成為主要供應(yīng)商。同時，華邦電在DRAM打進歐美日韓一線汽車客戶后，NOR及NAND Flash也都完成車規(guī)認證，是中國臺灣唯一擁有DRAM、NOR、NAND等完整存儲器產(chǎn)品線的業(yè)者，營運效益將會在明年顯現(xiàn)出來。
