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供應(yīng)IRLML0060TR 原裝現(xiàn)貨 詳細(xì)參數(shù)及技術(shù)資料

發(fā)布時(shí)間：2016/8/10

IRLML0060TRPBF元件分類：

IRLML0060TRPBF中文描述：
2.7 A, 60 V, 0.092 ohm, N溝道, 硅, POWER, 場(chǎng)效應(yīng)管, TO-236AB
IRLML0060TRPBF英文描述：
2.7 A, 60 V, 0.092 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-236AB
端子數(shù)量3
IRLML0060TRPBF最小擊穿電壓60 V
IRLML0060TRPBF加工封裝描述HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MICRO3, 3 PIN
IRLML0060TRPBF無鉛Yes
IRLML0060TRPBF歐盟RoHS規(guī)范Yes
IRLML0060TRPBF狀態(tài)ACTIVE
IRLML0060TRPBF包裝形狀RECTANGULAR
IRLML0060TRPBF包裝尺寸SMALL OUTLINE
IRLML0060TRPBF表面貼裝Yes
IRLML0060TRPBF端子形式GULL WING
IRLML0060TRPBF端子涂層MATTE TIN
IRLML0060TRPBF端子位置DUAL
IRLML0060TRPBF包裝材料PLASTIC/EPOXY
IRLML0060TRPBF結(jié)構(gòu)SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
IRLML0060TRPBF元件數(shù)量1
IRLML0060TRPBF晶體管應(yīng)用SWITCHING
IRLML0060TRPBF晶體管元件材料SILICON
IRLML0060TRPBF最大環(huán)境功耗1.25 W
IRLML0060TRPBF通道類型N-CHANNEL
IRLML0060TRPBF場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù)METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
IRLML0060TRPBF操作模式ENHANCEMENT
IRLML0060TRPBF晶體管類型GENERAL PURPOSE POWER
IRLML0060TRPBF最大漏電流2.7 A
IRLML0060TRPBF最大漏極導(dǎo)通電阻0.0920 ohm
IRLML0060TRPBF最大漏電流脈沖11 A
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