IC芯片F(xiàn)DS6900AS_FDS6900價格/供應商
發(fā)布時間：2017/12/27
IC芯片F(xiàn)DS6900AS_FDS6900價格/供應商
FDS6900AS產(chǎn)品詳細規(guī)格
FDS6900AS產(chǎn)品詳細規(guī)格
標準包裝 2,500
FET 型 2 N-Channel (Dual)
FET特點 Logic Level Gate
漏極至源極電壓（VDSS） 30V
電流-連續(xù)漏極（編號）@ 25°C 6.9A, 8.2A
Rds（最大）@ ID，VGS 27 mOhm @ 6.9A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id 3V @ 250μA
柵極電荷（Qg）@ VGS 15nC @ 10V
輸入電容（Ciss）@ Vds的 600pF @ 15V
功率 - 最大 900mW
安裝類型 Surface Mount
包/盒 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
供應商器件封裝 8-SOICN
包裝材料 Tape & Reel (TR)
包裝 8SOIC N
通道模式 Enhancement
最大漏源電壓 30 V
最大連續(xù)漏極電流 6.9@Q 1|8.2@Q 2 A
RDS -于 27@10V@Q 1|22@10V@Q 2 mOhm
最大門源電壓 ±20 V
典型導通延遲時間 9@Q 1|10@Q 1|10@Q 2|11@Q 2 ns
典型上升時間 4@Q 1|9@Q 1|5@Q 2|15@Q 2 ns
典型關(guān)閉延遲時間 23@Q 1|14@Q 1|26@Q 2|16@Q 2 ns
典型下降時間 3@Q 1|4@Q 1|3@Q 2|6@Q 2 ns
工作溫度 -55 to 150 °C
安裝 Surface Mount
標準包裝 Tape & Reel
最大門源電壓 ±20
歐盟RoHS指令 Compliant
最高工作溫度 150
標準包裝名稱 SOIC
最低工作溫度 -55
渠道類型 N
封裝 Tape and Reel
最大漏源電阻 27@10V@Q 1|22@10V@Q 2
最大漏源電壓 30
每個芯片的元件數(shù) 2
供應商封裝形式 SOIC N
最大功率耗散 2000
最大連續(xù)漏極電流 6.9@Q 1|8.2@Q 2
引腳數(shù) 8
鉛形狀 Gull-wing
FET特點 Logic Level Gate
安裝類型 Surface Mount
電流 - 連續(xù)漏極（Id ） @ 25 °C 6.9A, 8.2A
的Vgs（th ） （最大）@ Id 3V @ 250μA
漏極至源極電壓（Vdss） 30V
供應商設備封裝 8-SOIC
開態(tài)Rds（最大）@ Id ，V GS 27 mOhm @ 6.9A, 10V
FET型 2 N-Channel (Dual)
功率 - 最大 900mW
輸入電容（Ciss ） @ VDS 600pF @ 15V
閘電荷（Qg ） @ VGS 15nC @ 10V
封裝/外殼 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名稱 FDS6900ASCT
類別 Power MOSFET
配置 Dual
外形尺寸 5 x 3.99 x 1.5mm
身高 1.5mm
長度 5mm
最大漏源電阻 0.022 (Transistor 2) Ω, 0.027 (Transistor 1) Ω
最高工作溫度 +150 °C
最大功率耗散 2 W
最低工作溫度 -55 °C
包裝類型 SOIC N
典型柵極電荷@ VGS 10 nC @ 10 V (Transistor 2), 11 nC @ 10 V (Transistor 1)
典型輸入電容@ VDS 570 pF @ 15 V (Transistor 2), 600 pF @ 15 V (Transistor 1)
寬度 3.99mm
工廠包裝數(shù)量 2500
晶體管極性 N-Channel
連續(xù)漏極電流 6.9 A, 8.2 A
封裝/外殼 SOIC-8
零件號別名 FDS6900AS_NL
下降時間 3 ns
產(chǎn)品種類 MOSFET
單位重量 0.006596 oz
正向跨導 - 閔 25 S, 21 S
RoHS RoHS Compliant
源極擊穿電壓 +/- 20 V
系列 FDS6900AS
RDS（ON） 22 mOhms
安裝風格 SMD/SMT
功率耗散 2 W
上升時間 4 ns
漏源擊穿電壓 30 V
Continuous Drain Current Id :6.9A
Drain Source Voltage Vds :30V
On Resistance Rds(on) :27mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :10V
Threshold Voltage Vgs :1.9V
功耗 :2W
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :SOIC
No. of Pins :8
MSL :MSL 1 - Unlimited
SVHC :No SVHC (20-Jun-2013)
Cont Current Id N Channel 2 :6.9A
Cont Current Id N Channel 3 :8.2A
Continuous Drain Current Id, N Channel :8.2A
Current Id Max :8.2A
Drain Source Voltage Vds, N Channel :30V
Module Configuration :Dual
No. of Transistors :1
On Resistance Rds(on), N Channel :0.017ohm
On State Resistance Channel 1 :27mohm
On State Resistance N Channel 2 :22mohm
工作溫度范圍 :-55°C to +150°C
Pulse Current Idm N Channel 2 :20A
Pulse Current Idm N Channel 3 :30A
端接類型 :SMD
Voltage Vds Typ :30V
Voltage Vgs Rds on Measurement :10V
Weight (kg) 0.0005
Tariff No. 85412900
FDS6900AS系列產(chǎn)品
型號 廠家 產(chǎn)品描述
FDS6900S Fairchild Semiconductor MOSFET Dual NCh PowerTrench
FDS6900S rochester electronics
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產(chǎn)品分類 分立 晶體管 MOSFET
產(chǎn)品分類 半導體與光電子 分立元件 MOSFET晶體管
產(chǎn)品分類 半導體與光電子 分立式半導體 晶體管 MOSFET
產(chǎn)品分類 半導體 - 分立元件 MOSFET的
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訂購FDS6900AS.產(chǎn)品描述:Trans MOSFET N-CH 30V 6.9A/8.2A 8-Pin SOIC N T/R. 生產(chǎn)商: fairchild semiconductor
