NCE65R360D NCE65R360U NCE65R360F
發(fā)布時間：2018/1/29
超結(jié)場效應(yīng)管 NCE65R360D Vds=650V Ids=11A RDS(ON)<360mΩ @ VGS=10V,TO-263
NCE65R360D是一款利用先進的電荷平衡技術(shù)的超結(jié)MOSFET（兼容COOLMOS系列產(chǎn)品），在第一代超結(jié)MOSFET產(chǎn)品的基礎(chǔ)上大幅度提高了單位面積內(nèi)的電流密度，產(chǎn)品特征導(dǎo)通電阻（Rdson*A）降低40%，開關(guān)損耗降低12%，總能效提升1.7%。充足的耐壓余量，簡化電路設(shè)計難度，提供更高的系統(tǒng)可靠性。
產(chǎn)品應(yīng)用：
功率因數(shù)校正電路 (PFC)
開關(guān)模式電源
不間斷電源 (UPS)
品名 超結(jié)Mosfet NCE65R360D
型號 NCE65R360D
絲印標(biāo)識 NCE65R360D
品牌 新潔能
封裝 TO-263
器件結(jié)構(gòu) 超結(jié)工藝
晶體管類型 單通道
晶體管極性 N管
通道模式 增強型
柵極-源極電壓 Vgs ±30V
N溝道接通延遲時間(nS) 9.00
N溝道接通上升時間(nS) 4.00
N溝道關(guān)斷延遲時間(nS) 40.00
N溝道關(guān)斷下降時間(nS) 4.50
體二極管正向電壓 Vsd @ Is 0.9V @ 11A
體二極管反向恢復(fù)時間 trr @ 25°C 245nS
體二極管反向恢復(fù)電荷 Qrr @ 25°C 2.4uC
最高環(huán)境工作溫度 150℃
最低環(huán)境工作溫度 -55℃
最小包裝數(shù)量 800
包裝方法 編帶塑料盤
生產(chǎn)狀態(tài) 量產(chǎn)中
工程技術(shù) MOSFET作用：1.場效應(yīng)管應(yīng)用于放大電路； 2.用于多級放大器的輸入級作阻抗變換； 3.用作可變電阻； 4.用作恒流源；5.用作電子開關(guān)。, MOSFET特點： 1.場效應(yīng)管是電壓控制器件，通過VGS來控制ID；2.場效應(yīng)管的輸入端電流極小，因此它的輸入電阻很大。3.它是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，溫度穩(wěn)定性較好； 4.場效應(yīng)管的抗輻射能力強； 5.場效應(yīng)管的噪聲系數(shù)很小。
超結(jié)場效應(yīng)管 NCE65R360U Vds=650V Ids=11A RDS(ON)<360mΩ @ VGS=10V,TO-262
NCE65R360U是一款利用先進的電荷平衡技術(shù)的超結(jié)MOSFET（兼容COOLMOS系列產(chǎn)品），在第一代超結(jié)MOSFET產(chǎn)品的基礎(chǔ)上大幅度提高了單位面積內(nèi)的電流密度，產(chǎn)品特征導(dǎo)通電阻（Rdson*A）降低40%，開關(guān)損耗降低12%，總能效提升1.7%。充足的耐壓余量，簡化電路設(shè)計難度，提供更高的系統(tǒng)可靠性。
產(chǎn)品應(yīng)用：
功率因數(shù)校正電路 (PFC)
開關(guān)模式電源
不間斷電源 (UPS)
品名 超結(jié)Mosfet NCE65R360U
型號 NCE65R360U
絲印標(biāo)識 NCE65R360U
品牌 新潔能
封裝 TO-262
器件結(jié)構(gòu) 超結(jié)工藝
晶體管類型 單通道
晶體管極性 N管
通道模式 增強型
柵極-源極電壓 Vgs ±30V
N溝道接通延遲時間(nS) 9.00
N溝道接通上升時間(nS) 4.00
N溝道關(guān)斷延遲時間(nS) 40.00
N溝道關(guān)斷下降時間(nS) 4.50
體二極管正向電壓 Vsd @ Is 0.9V @ 11A
體二極管反向恢復(fù)時間 trr @ 25°C 245nS
體二極管反向恢復(fù)電荷 Qrr @ 25°C 2.4uC
最高環(huán)境工作溫度 150℃
最低環(huán)境工作溫度 -55℃
最小包裝數(shù)量 50
包裝方法 管裝
生產(chǎn)狀態(tài) 現(xiàn)貨
工程技術(shù) MOSFET作用：1.場效應(yīng)管應(yīng)用于放大電路； 2.用于多級放大器的輸入級作阻抗變換； 3.用作可變電阻； 4.用作恒流源；5.用作電子開關(guān)。, MOSFET特點： 1.場效應(yīng)管是電壓控制器件，通過VGS來控制ID；2.場效應(yīng)管的輸入端電流極小，因此它的輸入電阻很大。3.它是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，溫度穩(wěn)定性較好； 4.場效應(yīng)管的抗輻射能力強； 5.場效應(yīng)管的噪聲系數(shù)很小。
NCE65R360U是一款利用先進的電荷平衡技術(shù)的超結(jié)MOSFET（兼容COOLMOS系列產(chǎn)品），在第一代超結(jié)MOSFET產(chǎn)品的基礎(chǔ)上大幅度提高了單位面積內(nèi)的電流密度，產(chǎn)品特征導(dǎo)通電阻（Rdson*A）降低40%，開關(guān)損耗降低12%，總能效提升1.7%。充足的耐壓余量，簡化電路設(shè)計難度，提供更高的系統(tǒng)可靠性。
產(chǎn)品應(yīng)用：
功率因數(shù)校正電路 (PFC)
開關(guān)模式電源
不間斷電源 (UPS)
品名 超結(jié)Mosfet NCE65R360U
型號 NCE65R360U
絲印標(biāo)識 NCE65R360U
品牌 新潔能
封裝 TO-262
器件結(jié)構(gòu) 超結(jié)工藝
晶體管類型 單通道
晶體管極性 N管
通道模式 增強型
柵極-源極電壓 Vgs ±30V
N溝道接通延遲時間(nS) 9.00
N溝道接通上升時間(nS) 4.00
N溝道關(guān)斷延遲時間(nS) 40.00
N溝道關(guān)斷下降時間(nS) 4.50
體二極管正向電壓 Vsd @ Is 0.9V @ 11A
體二極管反向恢復(fù)時間 trr @ 25°C 245nS
體二極管反向恢復(fù)電荷 Qrr @ 25°C 2.4uC
最高環(huán)境工作溫度 150℃
最低環(huán)境工作溫度 -55℃
最小包裝數(shù)量 50
包裝方法 管裝
生產(chǎn)狀態(tài) 現(xiàn)貨
工程技術(shù) MOSFET作用：1.場效應(yīng)管應(yīng)用于放大電路； 2.用于多級放大器的輸入級作阻抗變換； 3.用作可變電阻； 4.用作恒流源；5.用作電子開關(guān)。, MOSFET特點： 1.場效應(yīng)管是電壓控制器件，通過VGS來控制ID；2.場效應(yīng)管的輸入端電流極小，因此它的輸入電阻很大。3.它是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，溫度穩(wěn)定性較好； 4.場效應(yīng)管的抗輻射能力強； 5.場效應(yīng)管的噪聲系數(shù)很小。
超結(jié)場效應(yīng)管 NCE65R360F Vds=650V Ids=11A RDS(ON)<360mΩ @ VGS=10V,TO-220F
NCE65R360F是一款利用先進的電荷平衡技術(shù)的超結(jié)MOSFET（兼容COOLMOS系列產(chǎn)品），在第一代超結(jié)MOSFET產(chǎn)品的基礎(chǔ)上大幅度提高了單位面積內(nèi)的電流密度，產(chǎn)品特征導(dǎo)通電阻（Rdson*A）降低40%，開關(guān)損耗降低12%，總能效提升1.7%。充足的耐壓余量，簡化電路設(shè)計難度，提供更高的系統(tǒng)可靠性。
產(chǎn)品應(yīng)用：
功率因數(shù)校正電路 (PFC)
開關(guān)模式電源
不間斷電源 (UPS)
品名 超結(jié)Mosfet NCE65R360F
型號 NCE65R360F
絲印標(biāo)識 NCE65R360F
品牌 新潔能
封裝 TO-220F
器件結(jié)構(gòu) 超結(jié)工藝
晶體管類型 單通道
晶體管極性 N管
通道模式 增強型
柵極-源極電壓 Vgs ±30V
N溝道接通延遲時間(nS) 9.00
N溝道接通上升時間(nS) 4.00
N溝道關(guān)斷延遲時間(nS) 40.00
N溝道關(guān)斷下降時間(nS) 4.50
體二極管正向電壓 Vsd @ Is 0.9V @ 11A
體二極管反向恢復(fù)時間 trr @ 25°C 245nS
體二極管反向恢復(fù)電荷 Qrr @ 25°C 2.4uC
最高環(huán)境工作溫度 150℃
最低環(huán)境工作溫度 -55℃
最小包裝數(shù)量 50
包裝方法 管裝
生產(chǎn)狀態(tài) 現(xiàn)貨
工程技術(shù) MOSFET作用：1.場效應(yīng)管應(yīng)用于放大電路； 2.用于多級放大器的輸入級作阻抗變換； 3.用作可變電阻； 4.用作恒流源；5.用作電子開關(guān)。, MOSFET特點： 1.場效應(yīng)管是電壓控制器件，通過VGS來控制ID；2.場效應(yīng)管的輸入端電流極小，因此它的輸入電阻很大。3.它是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，溫度穩(wěn)定性較好； 4.場效應(yīng)管的抗輻射能力強； 5.場效應(yīng)管的噪聲系數(shù)很小。
