標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
類別: 分立式導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭: FET - 單
系列: SIPMOS?
包裝: 剪切帶 (CT)
FET 類型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 功能: 邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss): 60V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時(shí)): 1.9A (Ta)
不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值): 300 毫歐 @ 1.9A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg): 14nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss): 410pF @ 25V
功率 - 最大值: 1.8W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-261-4,TO-261AA
供應(yīng)商器件封裝: PG-SOT223-4
產(chǎn)品目錄頁面: 1620 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: BSP170PL6327
BSP170PL6327INCT