STM32F407V芯片內(nèi)FLASH被異常改寫的問題
發(fā)布時間：2018/3/27
某STM32客戶反饋，當STM32F407V芯片頻繁的正常通斷電的時候，F(xiàn)LASH 會被非法改寫，出現(xiàn)各種各樣的異常（整片被擦除、中斷向量表被改寫、寫保護被清除等等）。
經(jīng)過與跟客戶溝通了解到 :
1、他們是延續(xù)之前的項目，進行的一些軟硬件簡單修改。之前的項目沒有出現(xiàn)過類似的問題。
2、確認通斷電的時間是足夠，即斷電后所有的VDD都回到0；上電的時序也正常。
3、原理圖參考了ST相關開發(fā)板的參考設計。
4、測量工作電壓，除了發(fā)覺上電時會有些許抖動外，其它一切正常。嘗試讓他們改善上電電路，去掉這一抖動。再次實驗，仍然出現(xiàn)類似的問題。
根據(jù)現(xiàn)象初步判斷，異常似乎跟硬件沒關聯(lián)了， 接著對客戶代碼進行刪減又做了如下實驗：
1，去掉APP 部分代碼，僅僅留下IAP代碼。做相同的實驗，問題再現(xiàn)。
2，進一步刪減程序，去掉程序中所有跟flash以及OPTION BYTE 相關的部分，做相同的實驗，問題依舊。
3，沒招，再刪代碼，或者屏蔽代碼。做基于不同STM32庫的代碼替換。問題始終依舊。
到此問題毫無進展，只好求助ST芯片設計人員做進一步確認，看看芯片是否真的壞了。同時，又請客戶的硬件工程師再次確認他們的硬件線路和原理圖的一致性，我們懷疑他們的硬件是否有裝錯的元器件，特別是MCU周邊。
后來客戶工程師反饋，STM32F407的PDR_ON腳，板子上裝的元件跟原理圖不一致。他們把R47和R48都裝了【如下圖】，那么相當于在PDR_ON上是一個0.6v的電壓，也就是關斷了MCU內(nèi)部復位。
可謂山窮水盡疑無路，柳暗花明又一村，看來問題應該跟內(nèi)部復位有關。
查看STM32F407數(shù)據(jù)手冊，可以看到相關信息。
從上面規(guī)格書來看，STM32F407V的內(nèi)部復位電路可以選擇性地開啟或關閉，如果選擇關閉mcu內(nèi)部的復位電路，需要在外部接一個復位監(jiān)測電路保證VDD達到正常工作電壓之前一直使MCU處于復位狀態(tài)。而這里，客戶本意并不想關閉內(nèi)部復位，而且外部也沒有相應的電源監(jiān)測復位電路。既然這樣,根據(jù)手冊描述，PDR_ON腳接到VDD即可。具體到這里，去掉R48這個1k歐姆的電阻。重做實驗反復驗證，異常消失。
對于STM32來說，這個PDR_ON引腳有的封裝是被引出來了，有的封裝沒有被引出。如果沒有引出的就默認使能內(nèi)部復位功能，如果引出的話，大家也要注意有的型號是拉低使能內(nèi)部復位，有的是拉高使能內(nèi)部復位，設計和使用時請注意這點。
類似小細節(jié)，容易被忽視，原因在被忽視情況下去查找原因往往是件非常折騰、曲折而痛苦的事。這種情況對于工程師來說，也沒法完全避免，畢竟我們是人。所以平時多留意、多積累，遇到問題時保持冷靜分析、理性判斷尤為重要，不要動不動就懷疑芯片質(zhì)量問題而使開發(fā)調(diào)試停滯不前。
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