IRFBG30 IRFBG30PBF N溝道 1000V 3.1A 場效應(yīng)管 TO-220 全新原裝
發(fā)布時間：2016/8/17
家庭 FET - 單
制造商 Vishay Siliconix
系列 -
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FET 類型 MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能 標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓（Vdss） 1000V（1kV）
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 3.1A（Tc）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 5 歐姆 @ 1.9A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg） 80nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss） 980pF @ 25V
功率 - 最大值 125W
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
封裝/外殼 TO-220-3
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