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文檔 IRFH7914TR2PBF Saber Model
IRFH7914TR2PBF Spice Model
Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013
Rohs Lead free / RoHS Compliant
標(biāo)準(zhǔn)包裝 4,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特點(diǎn) Logic Level Gate
漏極至源極電壓（VDSS） 30V
電流-連續(xù)漏極（編號(hào)）@ 25°C 15A
Rds（最大）@ ID，VGS 8.7 mOhm @ 14A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id 2.35V @ 25μA
柵極電荷（Qg）@ VGS 12nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）@ Vds的 1160pF @ 15V
功率 - 最大 3.1W
安裝類型 Surface Mount
包/盒 8-PowerVQFN
供應(yīng)商器件封裝 PQFN (5x6)
包裝材料 Tape & Reel (TR)

包裝 8PQFN
通道模式 Enhancement
最大漏源電壓 30 V
最大連續(xù)漏極電流 15 A
RDS -于 8.7@10V mOhm
最大門源電壓 ±20 V
典型導(dǎo)通延遲時(shí)間 11 ns
典型關(guān)閉延遲時(shí)間 12 ns
典型下降時(shí)間 4.6 ns
工作溫度 -55 to 150 °C
安裝 Surface Mount
標(biāo)準(zhǔn)包裝 Tape & Reel
最大門源電壓 ±20
歐盟RoHS指令 Compliant
最高工作溫度 150
標(biāo)準(zhǔn)包裝名稱 QFN
最低工作溫度 -55
渠道類型 N
封裝 Tape and Reel
最大漏源電阻 8.7@10V
最大漏源電壓 30
每個(gè)芯片的元件數(shù) 1
供應(yīng)商封裝形式 PQFN
最大功率耗散 3100
最大連續(xù)漏極電流 15
引腳數(shù) 8
鉛形狀 No Lead
FET特點(diǎn) Logic Level Gate
安裝類型 Surface Mount
電流 - 連續(xù)漏極（Id ） @ 25 °C 15A (Ta), 35A (Tc)
的Vgs（th ） （最大）@ Id 2.35V @ 25μA
漏極至源極電壓（Vdss） 30V
供應(yīng)商設(shè)備封裝 PQFN (5x6)
開態(tài)Rds（最大）@ Id ，V GS 8.7 mOhm @ 14A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 3.1W
封裝/外殼 8-PowerVQFN
輸入電容（Ciss ） @ VDS 1160pF @ 15V
閘電荷（Qg ） @ VGS 12nC @ 4.5V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
晶體管極性 :N Channel
Continuous Drain Current Id :14A
Drain Source Voltage Vds :30V
On Resistance Rds(on) :7.5mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :10V
Threshold Voltage Vgs :1.8V
功耗 :3.1W
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :PQFN
No. of Pins :8
MSL :MSL 2 - 1 year
SVHC :No SVHC (20-Jun-2013)
Current Id Max :15A
工作溫度范圍 :-55°C to +150°C
端接類型 :SMD
Voltage Vds Typ :30V
Voltage Vgs Max :20V
Voltage Vgs Rds on Measurement :10V
Weight (kg) 0.0004
Tariff No. 85412900