NTMD4N03R2G【NTMD4N03R引腳參數(shù)】?jī)r(jià)格/供應(yīng)商
發(fā)布時(shí)間：2018/7/30
Rohs Lead free / RoHS Compliant
產(chǎn)品更改通知 Wire Change 20/Aug/2008
標(biāo)準(zhǔn)包裝 2,500
FET 型 2 N-Channel (Dual)
FET特點(diǎn) Logic Level Gate
漏極至源極電壓（VDSS） 30V
電流-連續(xù)漏極（編號(hào)）@ 25°C 4A
Rds（最大）@ ID，VGS 60 mOhm @ 4A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id 3V @ 250μA
柵極電荷（Qg）@ VGS 16nC @ 10V
輸入電容（Ciss）@ Vds的 400pF @ 20V
功率 - 最大 2W
安裝類型 Surface Mount
包/盒 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
供應(yīng)商器件封裝 8-SOICN
包裝材料 Tape & Reel (TR)
包裝 8SOIC N
通道模式 Enhancement
最大漏源電壓 30 V
最大連續(xù)漏極電流 4 A
RDS -于 60@10V mOhm
最大門源電壓 ±20 V
典型導(dǎo)通延遲時(shí)間 7 ns
典型上升時(shí)間 14 ns
典型關(guān)閉延遲時(shí)間 16 ns
典型下降時(shí)間 10 ns
工作溫度 -55 to 150 °C
安裝 Surface Mount
標(biāo)準(zhǔn)包裝 Cut Tape
標(biāo)準(zhǔn)包裝 Tape & Reel
最大門源電壓 ±20
包裝寬度 4(Max)
PCB 8
最大功率耗散 2000
最大漏源電壓 30
歐盟RoHS指令 Compliant
最大漏源電阻 60@10V
每個(gè)芯片的元件數(shù) 2
最低工作溫度 -55
供應(yīng)商封裝形式 SOIC N
標(biāo)準(zhǔn)包裝名稱 SOIC
最高工作溫度 150
渠道類型 N
包裝長(zhǎng)度 5(Max)
引腳數(shù) 8
包裝高度 1.5(Max)
最大連續(xù)漏極電流 4
封裝 Tape and Reel
鉛形狀 Gull-wing
FET特點(diǎn) Logic Level Gate
安裝類型 Surface Mount
電流 - 連續(xù)漏極（Id ） @ 25 °C 4A
的Vgs（th ） （最大）@ Id 3V @ 250μA
供應(yīng)商設(shè)備封裝 8-SOIC N
開態(tài)Rds（最大）@ Id ，V GS 60 mOhm @ 4A, 10V
FET型 2 N-Channel (Dual)
功率 - 最大 2W
漏極至源極電壓（Vdss） 30V
輸入電容（Ciss ） @ VDS 400pF @ 20V
閘電荷（Qg ） @ VGS 16nC @ 10V
封裝/外殼 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名稱 NTMD4N03R2GOSCT
類別 Power MOSFET
配置 Dual Gate, Dual Source, Quad Drain
外形尺寸 5 x 4 x 1.5mm
身高 1.5mm
長(zhǎng)度 5mm
最大漏源電阻 0.08 Ω
最高工作溫度 +150 °C
最大功率耗散 2 W
最低工作溫度 -55 °C
包裝類型 SOIC
典型柵極電荷@ VGS 8 nC @ 10 V dc
典型輸入電容@ VDS 285 pF @ 20 V dc
寬度 4mm
工廠包裝數(shù)量 2500
產(chǎn)品種類 MOSFET
晶體管極性 N-Channel
源極擊穿電壓 +/- 20 V
連續(xù)漏極電流 4 A
正向跨導(dǎo) - 閔 6 S
安裝風(fēng)格 SMD/SMT
RDS（ON） 48 mOhms
功率耗散 2 W
封裝/外殼 SOIC-8 Narrow
上升時(shí)間 14 ns
漏源擊穿電壓 30 V
RoHS RoHS Compliant
下降時(shí)間 10 ns
associated 80-4-5
