SI7686DP-T1-GE3【SI7686DP 引腳參數(shù)】價格/供應商
發(fā)布時間：2018/8/1
Rohs Lead free / RoHS Compliant
標準包裝 3,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特點 Standard
漏極至源極電壓（VDSS） 30V
電流-連續(xù)漏極（編號）@ 25°C 35A
Rds（最大）@ ID，VGS 9.5 mOhm @ 13.8A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id 3V @ 250μA
柵極電荷（Qg）@ VGS 26nC @ 10V
輸入電容（Ciss）@ Vds的 1220pF @ 15V
功率 - 最大 37.9W
安裝類型 Surface Mount
包/盒 PowerPAK? SO-8
供應商器件封裝 PowerPAK? SO-8
包裝材料 Tape & Reel (TR)
單位包 0
最小起訂量 1
FET特點 Standard
封裝 Tape & Reel (TR)
安裝類型 Surface Mount
電流 - 連續(xù)漏極（Id ） @ 25 °C 35A (Tc)
的Vgs（th ） （最大）@ Id 3V @ 250μA
封裝/外殼 PowerPAK? SO-8
供應商設(shè)備封裝 PowerPAK? SO-8
開態(tài)Rds（最大）@ Id ，V GS 9.5 mOhm @ 13.8A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 37.9W
標準包裝 3,000
漏極至源極電壓（Vdss） 30V
輸入電容（Ciss ） @ VDS 1220pF @ 15V
閘電荷（Qg ） @ VGS 26nC @ 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
晶體管極性 :N Channel
Continuous Drain Current Id :35A
Drain Source Voltage Vds :30V
On Resistance Rds(on) :14mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :4.5V
Threshold Voltage Vgs :3V
No. of Pins :8
Weight (kg) 0
