IRFB4227PBF 原裝正品 IR 一系列
發(fā)布時(shí)間：2016/6/17
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 50 |
系列 | HEXFET? |
包裝 | 管件 |
FET 類型 | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
FET 功能 | 標(biāo)準(zhǔn) |
漏源極電壓（Vdss） | 200V |
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） | 65A（Tc） |
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） | 24 毫歐 @ 46A，10V |
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） | 5V @ 250μA |
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg） | 98nC @ 10V |
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss） | 4600pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 330W |
安裝類型 | 通孔 |
封裝/外殼 | TO-220-3 |
供應(yīng)商器件封裝 | TO-220A |
