場效應(yīng)管 NCE60R1K2K Vds=600V Ids=4A RDS(ON)<1200mΩ @ VGS=10V,TO-252
發(fā)布時間：2016/6/22
場效應(yīng)管 NCE60R1K2K Vds=600V Ids=4A RDS(ON)<1200mΩ @ VGS=10V,TO-252 
NCE60R1K2k是一款利用先進的電荷平衡技術(shù)的超結(jié)MOSFET（兼容COOLMOS系列產(chǎn)品），在第一代超結(jié)MOSFET產(chǎn)品的基礎(chǔ)上大幅度提高了單位面積內(nèi)的電流密度，產(chǎn)品特征導(dǎo)通電阻（Rdson*A）降低40%，開關(guān)損耗降低12%，總能效提升1.7%。充足的耐壓余量，簡化電路設(shè)計難度，提供更高的系統(tǒng)可靠性。
產(chǎn)品應(yīng)用：
- 電腦、服務(wù)器的電源
- HID/LED照明，工業(yè)照明，道路照明等 /li>
- 筆記本電腦，打印機等適配器
- 消費類電子產(chǎn)品（液晶電視，等離子電視等）
