IRFR220NTRPBF【IRFR220N 引腳參數(shù)】?jī)r(jià)格/供應(yīng)商
發(fā)布時(shí)間：2018/8/23
Rohs Lead free / RoHS Compliant
標(biāo)準(zhǔn)包裝 2,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特點(diǎn) Standard
漏極至源極電壓（VDSS） 200V
電流-連續(xù)漏極（編號(hào)）@ 25°C 5A
Rds（最大）@ ID，VGS 600 mOhm @ 2.9A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id 4V @ 250μA
柵極電荷（Qg）@ VGS 23nC @ 10V
輸入電容（Ciss）@ Vds的 300pF @ 25V
功率 - 最大 43W
安裝類型 Surface Mount
包/盒 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應(yīng)商器件封裝 D-Pak
包裝材料 Tape & Reel (TR)
包裝 3DPAK
通道模式 Enhancement
最大漏源電壓 200 V
最大連續(xù)漏極電流 5 A
RDS -于 600@10V mOhm
最大門源電壓 ±20 V
典型導(dǎo)通延遲時(shí)間 6.4 ns
典型上升時(shí)間 11 ns
典型關(guān)閉延遲時(shí)間 20 ns
典型下降時(shí)間 12 ns
工作溫度 -55 to 175 °C
安裝 Surface Mount
標(biāo)準(zhǔn)包裝 Cut Tape
最大門源電壓 ±20
歐盟RoHS指令 Compliant
最高工作溫度 175
標(biāo)準(zhǔn)包裝名稱 DPAK
最低工作溫度 -55
渠道類型 N
封裝 Tape and Reel
最大漏源電阻 600@10V
最大漏源電壓 200
每個(gè)芯片的元件數(shù) 1
供應(yīng)商封裝形式 DPAK
最大功率耗散 43000
最大連續(xù)漏極電流 5
引腳數(shù) 3
鉛形狀 Gull-wing
FET特點(diǎn) Standard
安裝類型 Surface Mount
電流 - 連續(xù)漏極（Id ） @ 25 °C 5A
的Vgs（th ） （最大）@ Id 4V @ 250μA
漏極至源極電壓（Vdss） 200V
供應(yīng)商設(shè)備封裝 D-Pak
開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id ，V GS 600 mOhm @ 2.9A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 43W
輸入電容（Ciss ） @ VDS 300pF @ 25V
閘電荷（Qg ） @ VGS 23nC @ 10V
封裝/外殼 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工廠包裝數(shù)量 2000
配置 Single
晶體管極性 N-Channel
源極擊穿電壓 20 V
連續(xù)漏極電流 5 A
安裝風(fēng)格 SMD/SMT
RDS（ON） 600 mOhms
功率耗散 43 W
最低工作溫度 - 55 C
封裝/外殼 DPAK
柵極電荷Qg 15 nC
上升時(shí)間 11 ns
最高工作溫度 + 175 C
漏源擊穿電壓 200 V
RoHS RoHS Compliant
下降時(shí)間 12 ns
漏極電流（最大值） 5 A
頻率（最大） Not Required MHz
柵源電壓（最大值） 20 V
輸出功率（最大） Not Required W
噪聲系數(shù) Not Required dB
漏源導(dǎo)通電阻 0.6 ohm
工作溫度范圍 -55C to 175C
包裝類型 DPAK
極性 N
類型 Power MOSFET
元件數(shù) 1
工作溫度分類 Military
漏極效率 Not Required %
漏源導(dǎo)通電壓 200 V
功率增益 Not Required dB
弧度硬化 No
associated IRFR4620PBF
