DMN2075U-7-F【DMN2075U 引腳參數(shù)】價格/供應(yīng)商
發(fā)布時間：2018/8/24
Rohs Lead free / RoHS Compliant
產(chǎn)品更改通知 Bond Wire Change 11/Nov/2011
標(biāo)準(zhǔn)包裝 3,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特點 Logic Level Gate
漏極至源極電壓（VDSS） 20V
電流-連續(xù)漏極（編號）@ 25°C 4.2A
Rds（最大）@ ID，VGS 38 mOhm @ 3.6A, 4.5V
VGS（TH）（最大）@ Id 1V @ 250μA
柵極電荷（Qg）@ VGS 7nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）@ Vds的 594.3pF @ 10V
功率 - 最大 800mW
安裝類型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應(yīng)商器件封裝 SOT-23-3
包裝材料 Tape & Reel (TR)
包裝 3SOT-23
通道模式 Enhancement
最大漏源電壓 20 V
最大連續(xù)漏極電流 4.2 A
RDS -于 38@4.5V mOhm
最大門源電壓 ±8 V
典型導(dǎo)通延遲時間 7.4 ns
典型上升時間 9.8 ns
典型關(guān)閉延遲時間 28.1 ns
典型下降時間 6.7 ns
工作溫度 -55 to 150 °C
安裝 Surface Mount
標(biāo)準(zhǔn)包裝 Tape & Reel
最大門源電壓 ±8
包裝寬度 1.3
PCB 3
最大功率耗散 800
最大漏源電壓 20
歐盟RoHS指令 Compliant
最大漏源電阻 38@4.5V
每個芯片的元件數(shù) 1
最低工作溫度 -55
供應(yīng)商封裝形式 SOT-23
標(biāo)準(zhǔn)包裝名稱 SOT-23
最高工作溫度 150
渠道類型 N
包裝長度 2.9
引腳數(shù) 3
包裝高度 1
最大連續(xù)漏極電流 4.2
封裝 Tape and Reel
鉛形狀 Gull-wing
P（ TOT ） 0.8W
匹配代碼 DMN2075U
單位包 3000
標(biāo)準(zhǔn)的提前期 22 weeks
最小起訂量 6000
極化 N-CHANNEL
無鉛Defin RoHS-conform
汽車 AEC-Q(101)
我（D ） 4.3A
V（ DS ） 20V
R（ DS上） 0.025Ohm
FET特點 Logic Level Gate
安裝類型 Surface Mount
電流 - 連續(xù)漏極（Id ） @ 25 °C 4.2A (Ta)
的Vgs（th ） （最大）@ Id 1V @ 250μA
供應(yīng)商設(shè)備封裝 SOT-23-3
開態(tài)Rds（最大）@ Id ，V GS 38 mOhm @ 3.6A, 4.5V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 800mW
漏極至源極電壓（Vdss） 20V
輸入電容（Ciss ） @ VDS 594.3pF @ 10V
閘電荷（Qg ） @ VGS 7nC @ 4.5V
封裝/外殼 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名稱 DMN2075U-7DICT
安裝風(fēng)格 SMD/SMT
產(chǎn)品種類 MOSFET
晶體管極性 N-Channel
配置 Single
源極擊穿電壓 +/- 8 V
連續(xù)漏極電流 4.2 A
RDS（ON） 25 mOhms
功率耗散 0.8 W
最低工作溫度 - 55 C
封裝/外殼 SOT-23
上升時間 9.8 ns
最高工作溫度 + 150 C
漏源擊穿電壓 20 V
RoHS RoHS Compliant
下降時間 6.7 ns
柵源電壓（最大值） 8 V
工作溫度范圍 -55C to 150C
包裝類型 SOT-23
極性 N
類型 Power MOSFET
元件數(shù) 1
工作溫度分類 Military
漏源導(dǎo)通電壓 20 V
弧度硬化 No
