NTMFS5C628NLT1G特性，參數(shù)，圖片 NTMFS5C628NLT1G中文元件說明書
發(fā)布時(shí)間：2018/10/24
高度 1.05mm
晶體管材料 Si
類別 功率 MOSFET
長度 5.1mm
典型輸入電容值@Vds 3600 pF @ 25 V
通道模式 增強(qiáng)
安裝類型 表面貼裝
每片芯片元件數(shù)目 1
最大漏源電阻值 3.3 mΩ
通道類型 N
最高工作溫度 +175 °C
引腳數(shù)目 5
最低工作溫度 -55 °C
最大功率耗散 110 W
最大柵源電壓 ±20 V
寬度 6.1mm
尺寸 5.1 x 6.1 x 1.05mm
正向二極管電壓 1.2V
最小柵閾值電壓 1.2V
最大漏源電壓 60 V
典型接通延遲時(shí)間 15 ns
典型關(guān)斷延遲時(shí)間 28 ns
封裝類型 DFN
最大連續(xù)漏極電流 150 A
最大柵閾值電壓 2V
正向跨導(dǎo) 110s
晶體管配置 單
典型柵極電荷@Vgs 52 nC @ 10 V
工廠包裝數(shù)量 1500
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 60 V
晶體管極性 N-Channel
封裝/外殼 SO-FL-8
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 1.2 V
Qg - Gate Charge 52 nC
Vgs - Gate-Source Voltage 20 V
下降時(shí)間 70 ns
安裝風(fēng)格 SMD/SMT
品牌 ON Semiconductor
通道數(shù) 1 Channel
配置 Single
最高工作溫度 + 175 C
晶體管類型 1 N-Channel
Id - Continuous Drain Current 150 A
Rds On - Drain-Source Resistance 3.3 mOhms
RoHS RoHS Compliant
典型關(guān)閉延遲時(shí)間 28 ns
通道模式 Enhancement
封裝 Reel
最低工作溫度 - 55 C
Pd - Power Dissipation 110 W
上升時(shí)間 150 ns
技術(shù) Si
