FDA16N50特性，參數(shù)，圖片 FDA16N50中文元件說明書
發(fā)布時(shí)間：2018/10/29
標(biāo)準(zhǔn)包裝 30
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特點(diǎn) Standard
漏極至源極電壓（VDSS） 500V
電流-連續(xù)漏極（編號(hào)）@ 25°C 16.5A
Rds（最大）@ ID，VGS 380 mOhm @ 8.3A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id 5V @ 250μA
柵極電荷（Qg）@ VGS 45nC @ 10V
輸入電容（Ciss）@ Vds的 1945pF @ 25V
功率 - 最大 205W
安裝類型 Through Hole
包/盒 TO-3P-3, SC-65-3
供應(yīng)商器件封裝 TO-3P
包裝材料 Tube
最大門源電壓 ±30
安裝 Through Hole
包裝寬度 4.8
PCB 3
最大功率耗散 205000
最大漏源電壓 500
歐盟RoHS指令 Compliant
最大漏源電阻 380@10V
每個(gè)芯片的元件數(shù) 1
最低工作溫度 -55
供應(yīng)商封裝形式 TO-3P
標(biāo)準(zhǔn)包裝名稱 TO-3P
最高工作溫度 150
渠道類型 N
包裝長(zhǎng)度 15.6
引腳數(shù) 3
通道模式 Enhancement
包裝高度 19.9
最大連續(xù)漏極電流 16.5
封裝 Rail
標(biāo)簽 Tab
FET特點(diǎn) Standard
安裝類型 Through Hole
電流 - 連續(xù)漏極（Id ） @ 25 °C 16.5A (Tc)
的Vgs（th ） （最大）@ Id 5V @ 250μA
漏極至源極電壓（Vdss） 500V
標(biāo)準(zhǔn)包裝 30
供應(yīng)商設(shè)備封裝 TO-3P
開態(tài)Rds（最大）@ Id ，V GS 380 mOhm @ 8.3A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 205W
封裝/外殼 TO-3P-3, SC-65-3
輸入電容（Ciss ） @ VDS 1945pF @ 25V
閘電荷（Qg ） @ VGS 45nC @ 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
