IRFL110TRPBF特性，參數(shù)，圖片 IRFL110TR中文元件說明書
發(fā)布時間：2018/10/30
標(biāo)準(zhǔn)包裝 2,500
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特點(diǎn) Standard
漏極至源極電壓（VDSS） 100V
電流-連續(xù)漏極（編號）@ 25°C 1.5A
Rds（最大）@ ID，VGS 540 mOhm @ 900mA, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id 4V @ 250μA
柵極電荷（Qg）@ VGS 8.3nC @ 10V
輸入電容（Ciss）@ Vds的 180pF @ 25V
功率 - 最大 2W
安裝類型 Surface Mount
包/盒 TO-261-4, TO-261AA
供應(yīng)商器件封裝 SOT-223
包裝材料 Tape & Reel (TR)
包裝 4SOT-223
通道模式 Enhancement
最大漏源電壓 100 V
最大連續(xù)漏極電流 1.5 A
RDS -于 540@10V mOhm
最大門源電壓 ±20 V
典型導(dǎo)通延遲時間 6.9 ns
典型上升時間 16 ns
典型關(guān)閉延遲時間 15 ns
典型下降時間 9.4 ns
工作溫度 -55 to 150 °C
安裝 Surface Mount
標(biāo)準(zhǔn)包裝 Tape & Reel
最大門源電壓 ±20
包裝寬度 3.7(Max)
PCB 3
最大功率耗散 2000
最大漏源電壓 100
歐盟RoHS指令 Compliant
最大漏源電阻 540@10V
每個芯片的元件數(shù) 1
最低工作溫度 -55
供應(yīng)商封裝形式 SOT-223
標(biāo)準(zhǔn)包裝名稱 SOT-223
最高工作溫度 150
渠道類型 N
包裝長度 6.7(Max)
引腳數(shù) 4
包裝高度 1.8(Max) - 0.06
最大連續(xù)漏極電流 1.5
封裝 Tape and Reel
標(biāo)簽 Tab
鉛形狀 Gull-wing
P（ TOT ） 3.1W
匹配代碼 IRFL110TRPBF
單位包 2500
標(biāo)準(zhǔn)的提前期 14 weeks
最小起訂量 2500
極化 N-CHANNEL
無鉛Defin RoHS-conform
我（D ） 1.5A
V（ DS ） 100V
R（ DS上） 0.54Ohm
FET特點(diǎn) Standard
安裝類型 Surface Mount
電流 - 連續(xù)漏極（Id ） @ 25 °C 1.5A (Tc)
的Vgs（th ） （最大）@ Id 4V @ 250μA
供應(yīng)商設(shè)備封裝 SOT-223
其他名稱 IRFL110PBFTR
開態(tài)Rds（最大）@ Id ，V GS 540 mOhm @ 900mA, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 2W
漏極至源極電壓（Vdss） 100V
輸入電容（Ciss ） @ VDS 180pF @ 25V
閘電荷（Qg ） @ VGS 8.3nC @ 10V
封裝/外殼 TO-261-4, TO-261AA
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工廠包裝數(shù)量 2500
產(chǎn)品種類 MOSFET
晶體管極性 N-Channel
配置 Single Dual Drain
源極擊穿電壓 +/- 20 V
連續(xù)漏極電流 1.5 A
安裝風(fēng)格 SMD/SMT
RDS（ON） 540 mOhms
功率耗散 2 W
最低工作溫度 - 55 C
封裝/外殼 SOT-223
上升時間 16 ns
最高工作溫度 + 150 C
漏源擊穿電壓 100 V
RoHS RoHS Compliant By Exemption
下降時間 9.4 ns
漏極電流（最大值） 1.5 A
頻率（最大） Not Required MHz
柵源電壓（最大值） 20 V
輸出功率（最大） Not Required W
噪聲系數(shù) Not Required dB
漏源導(dǎo)通電阻 0.54 ohm
工作溫度范圍 -55C to 150C
包裝類型 SOT-223
極性 N
類型 Power MOSFET
元件數(shù) 1
工作溫度分類 Military
漏極效率 Not Required %
漏源導(dǎo)通電壓 100 V
功率增益 Not Required dB
弧度硬化 No
刪除 Compliant
associated IRFL110TRPBF
