2N7002ET1G特性，參數(shù)，圖片 2N7002ET1G中文元件說明書
發(fā)布時間：2018/11/27
標準包裝 3,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特點 Logic Level Gate
漏極至源極電壓（VDSS） 60V
電流-連續(xù)漏極（編號）@ 25°C 260mA
Rds（最大）@ ID，VGS 2.5 Ohm @ 240mA, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id 2.5V @ 250μA
柵極電荷（Qg）@ VGS 0.81nC @ 5V
輸入電容（Ciss）@ Vds的 26.7pF @ 25V
功率 - 最大 300mW
安裝類型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商器件封裝 SOT-23-3 (TO-236)
包裝材料 Tape & Reel (TR)
包裝 3SOT-23
通道模式 Enhancement
最大漏源電壓 60 V
最大連續(xù)漏極電流 0.26 A
RDS -于 2500@10V mOhm
最大門源電壓 ±20 V
典型導通延遲時間 1.7 ns
典型上升時間 1.2 ns
典型關閉延遲時間 4.8 ns
典型下降時間 3.6 ns
工作溫度 -55 to 150 °C
安裝 Surface Mount
標準包裝 Tape & Reel
FET特點 Logic Level Gate
封裝 Tape & Reel (TR)
安裝類型 Surface Mount
電流 - 連續(xù)漏極（Id ） @ 25 °C 260mA (Ta)
的Vgs（th ） （最大）@ Id 2.5V @ 250μA
供應商設備封裝 SOT-23-3 (TO-236)
開態(tài)Rds（最大）@ Id ，V GS 2.5 Ohm @ 240mA, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 300mW
漏極至源極電壓（Vdss） 60V
輸入電容（Ciss ） @ VDS 26.7pF @ 25V
閘電荷（Qg ） @ VGS 0.81nC @ 5V
封裝/外殼 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名稱 2N7002ET1GOSCT
類別 Small Signal
渠道類型 N
配置 Single
外形尺寸 2.9 x 1.3 x 0.94mm
身高 0.94mm
長度 2.9mm
最大漏源電阻 2.5 Ω
最高工作溫度 +150 °C
最大功率耗散 0.3 W
最低工作溫度 -55 °C
每個芯片的元件數(shù) 1
包裝類型 SOT-23
引腳數(shù) 3
典型柵極電荷@ VGS 0.81 nC V @ 5
典型輸入電容@ VDS 26.7 pF V @ 25
寬度 1.3mm
工廠包裝數(shù)量 3000
產(chǎn)品種類 MOSFET
晶體管極性 N-Channel
源極擊穿電壓 +/- 20 V
連續(xù)漏極電流 0.26 A
安裝風格 SMD/SMT
RDS（ON） 2500 mOhms
功率耗散 300 mW
封裝/外殼 SOT-23-3
上升時間 1.2 ns
漏源擊穿電壓 60 V
RoHS RoHS Compliant
下降時間 1.2 ns
柵源電壓（最大值） 20 V
漏源導通電阻 2.5 ohm
工作溫度范圍 -55C to 150C
極性 N
類型 Small Signal
元件數(shù) 1
工作溫度分類 Military
漏源導通電壓 60 V
弧度硬化 No
Continuous Drain Current Id :310mA
Drain Source Voltage Vds :60V
On Resistance Rds(on) :0.86ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :10V
Threshold Voltage Vgs :1V
功耗 :420mW
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :SOT-23
No. of Pins :3
MSL :MSL 1 - Unlimited
SVHC :No SVHC (16-Dec-2013)
Weight (kg) 0.000033
Tariff No. 85412900
associated 2N7002ET3G
2N7002ET1G
2N7002K215
2N7002ET1G.
RE906
