IRFR5505TRPBF特性，參數(shù)，圖片 IRFR5505中文元件說(shuō)明書(shū)
發(fā)布時(shí)間：2018/12/3
高度 2.39mm
晶體管材料 Si
類別 功率 MOSFET
長(zhǎng)度 6.73mm
典型輸入電容值@Vds 650 pF@ 25 V
系列 HEXFET
通道模式 增強(qiáng)
安裝類型 表面貼裝
每片芯片元件數(shù)目 1
最大漏源電阻值 110 mΩ
最大柵閾值電壓 4V
Board Level Components Y
最高工作溫度 +150 °C
通道類型 P
最低工作溫度 -55 °C
最大功率耗散 57 W
最大柵源電壓 ±20 V
寬度 6.22mm
尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm
最小柵閾值電壓 2V
最大漏源電壓 55 V
典型接通延遲時(shí)間 12 ns
典型關(guān)斷延遲時(shí)間 20 ns
封裝類型 DPAK
最大連續(xù)漏極電流 18 A
引腳數(shù)目 3
晶體管配置 單
典型柵極電荷@Vgs 32 nC @ 10 V
工廠包裝數(shù)量 2000
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage - 55 V
晶體管極性 P-Channel
Vgs - Gate-Source Voltage 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage - 4 V
寬度 6.22 mm
Qg - Gate Charge 32 nC
封裝/外殼 TO-252-3
類型 HEXFET Power MOSFET
下降時(shí)間 16 ns
安裝風(fēng)格 SMD/SMT
品牌 Infineon Technologies
通道數(shù) 1 Channel
配置 Single
最高工作溫度 + 150 C
晶體管類型 1 P-Channel
正向跨導(dǎo) - 閔 4.2 S
Id - Continuous Drain Current - 18 A
長(zhǎng)度 6.5 mm
Rds On - Drain-Source Resistance 110 mOhms
RoHS RoHS Compliant
典型關(guān)閉延遲時(shí)間 20 ns
通道模式 Enhancement
身高 2.3 mm
封裝 Reel
典型導(dǎo)通延遲時(shí)間 12 ns
最低工作溫度 - 55 C
Pd - Power Dissipation 57 W
上升時(shí)間 28 ns
技術(shù) Si
