BD136-16特性，參數(shù)，圖片 BD136-16中文元件說明書
發(fā)布時(shí)間：2018/12/4
標(biāo)準(zhǔn)包裝 50
晶體管類型 PNP
- 集電極電流（Ic）（最大） 1.5A
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大） 45V
Vce飽和（最大）@ IB，IC 500mV @ 50mA, 500mA
電流 - 集電極截止（最大） -
直流電流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE 40 @ 150mA, 2V
功率 - 最大 1.25W
頻率轉(zhuǎn)換 -
安裝類型 Through Hole
包/盒 TO-225AA, TO-126-3
供應(yīng)商器件封裝 SOT-32
包裝材料 Tube
包裝 3SOT-32
類型 PNP
引腳數(shù) 3
最大集電極發(fā)射極電壓 45 V
集電極最大直流電流 1.5 A
最小直流電流增益 100@150mA@2V
最大集電極發(fā)射極飽和電壓 0.5@0.05A@0.5A V
工作溫度 -65 to 150 °C
最大功率耗散 1250 mW
安裝 Through Hole
標(biāo)準(zhǔn)包裝 Rail / Tube
P（ TOT ） 12.5W
匹配代碼 BD136-16
I（C ） 1.5A
V（ CEO ） 45V
單位包 50
標(biāo)準(zhǔn)的提前期 12 weeks
最小起訂量 50
極化 PNP
無鉛Defin RoHS-conform
電流增益 250
V（ CBO ） 45V
電流 - 集電極（ Ic）（最大） 1.5A
晶體管類型 PNP
安裝類型 Through Hole
下的Vce飽和度（最大） Ib，Ic條件 500mV @ 50mA, 500mA
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大） 45V
供應(yīng)商設(shè)備封裝 SOT-32
封裝 Tube
功率 - 最大 1.25W
封裝/外殼 TO-225AA, TO-126-3
直流電流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce時(shí) 40 @ 150mA, 2V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
類別 Bipolar Power
配置 Single
外形尺寸 10.8 x 7.8 x 2.7mm
身高 10.8mm
長度 7.8mm
最大集電極基極電壓 45 V
最大基地發(fā)射極電壓 5 V
最高工作溫度 +150 °C
最低工作溫度 -65 °C
每個(gè)芯片的元件數(shù) 1
包裝類型 SOT-32
寬度 2.7mm
工廠包裝數(shù)量 2000
產(chǎn)品種類 Transistors Bipolar - BJT
晶體管極性 PNP
發(fā)射極 - 基極電壓VEBO 5 V
直流集電極/增益hfe最小值 100 at 150 mA at 2 V
集電極 - 發(fā)射極最大電壓VCEO 45 V
安裝風(fēng)格 SMD/SMT
集電極 - 基極電壓VCBO 45 V
RoHS RoHS Compliant
集電極電流（ DC）（最大值） 1.5 A
集電極 - 基極電壓 45 V
集電極 - 發(fā)射極電壓 45 V
發(fā)射極 - 基極電壓 5 V
功率耗散 1.25 W
工作溫度范圍 -65C to 150C
元件數(shù) 1
直流電流增益（最小值） 100
工作溫度分類 Military
弧度硬化 No
直流電流增益 100
集電極電流（DC ） 1.5 A
Collector Emitter Voltage V(br)ceo :45V
功耗 :1.25W
DC Collector Current :1.5A
DC Current Gain hFE :40
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :SOT-32
No. of Pins :3
MSL :-
SVHC :No SVHC (20-Jun-2013)
Collector Emitter Voltage Vces :500mV
連續(xù)集電極電流Ic最大 :1.5A
Current Ic Continuous a Max :1.5A
Current Ic hFE :150mA
Full Power Rating Temperature :25°C
Hfe Min :100
No. of Transistors :1
Power Dissipation Ptot Max :1.25W
端接類型 :SMD
Voltage Vcbo :60V
Weight (kg) 0.002
Tariff No. 85412900
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