DMP2035U-7特性，參數，圖片 DMP2035U-7中文元件說明書
發(fā)布時間：2019/1/11
標準包裝 3,000
FET 型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET特點 Logic Level Gate
漏極至源極電壓（VDSS） 20V
電流-連續(xù)漏極（編號）@ 25°C 3.6A
Rds（最大）@ ID，VGS 35 mOhm @ 4A, 4.5V
VGS（TH）（最大）@ Id 1V @ 250μA
柵極電荷（Qg）@ VGS 15.4nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）@ Vds的 1610pF @ 10V
功率 - 最大 810mW
安裝類型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商器件封裝 SOT-23-3
包裝材料 Tape & Reel (TR)
包裝 3SOT-23
渠道類型 P
通道模式 Enhancement
最大漏源電壓 20 V
最大連續(xù)漏極電流 3.6 A
RDS -于 35@4.5V mOhm
最大門源電壓 ±8 V
典型導通延遲時間 16.8 ns
典型上升時間 12.4 ns
典型關閉延遲時間 94.1 ns
典型下降時間 42.4 ns
工作溫度 -55 to 150 °C
安裝 Surface Mount
標準包裝 Tape & Reel
最大門源電壓 ±8
包裝寬度 1.3
PCB 3
篩選等級 Commercial
最大功率耗散 810
最大漏源電壓 20
歐盟RoHS指令 Compliant
最大漏源電阻 35@4.5V
每個芯片的元件數 1
最低工作溫度 -55
供應商封裝形式 SOT-23
標準包裝名稱 SOT-23
最高工作溫度 150
包裝長度 2.9
引腳數 3
包裝高度 1
最大連續(xù)漏極電流 3.6
封裝 Tape and Reel
鉛形狀 Gull-wing
P（ TOT ） 0.81W
匹配代碼 DMP2035U
單位包 3000
標準的提前期 11 weeks
最小起訂量 3000
極化 P-CHANNEL
無鉛Defin RoHS-conform
我（D ） 3.6A
V（ DS ） 20V
R（ DS上） 0.03Ohm
FET特點 Logic Level Gate
安裝類型 Surface Mount
電流 - 連續(xù)漏極（Id ） @ 25 °C 3.6A (Ta)
的Vgs（th ） （最大）@ Id 1V @ 250μA
供應商設備封裝 SOT-23-3
開態(tài)Rds（最大）@ Id ，V GS 35 mOhm @ 4A, 4.5V
FET型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 810mW
漏極至源極電壓（Vdss） 20V
輸入電容（Ciss ） @ VDS 1610pF @ 10V
閘電荷（Qg ） @ VGS 15.4nC @ 4.5V
封裝/外殼 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名稱 DMP2035U-7DICT
安裝風格 SMD/SMT
產品種類 MOSFET
晶體管極性 P-Channel
配置 Single
源極擊穿電壓 +/- 8 V
連續(xù)漏極電流 - 3.6 A
正向跨導 - 閔 14 S
RDS（ON） 23 mOhms
功率耗散 0.81 W
最低工作溫度 - 55 C
封裝/外殼 SOT-23-3
柵極電荷Qg 15.4 nC
上升時間 12.4 nS
最高工作溫度 + 150 C
漏源擊穿電壓 - 20 V
RoHS RoHS Compliant
下降時間 42.4 ns
漏極電流（最大值） 3.6 A
柵源電壓（最大值） 8 V
漏源導通電阻 0.035 ohm
工作溫度范圍 -55C to 150C
包裝類型 SOT-23
極性 P
類型 Power MOSFET
元件數 1
工作溫度分類 Military
漏源導通電壓 20 V
弧度硬化 No
頻率（最大） Not Required MHz
輸出功率（最大） Not Required W
噪聲系數 Not Required dB
漏極效率 Not Required %
功率增益 Not Required dB
