MOSFET IXTP60N20T 制造商IXYS 中文PDF資料及實(shí)物圖片
發(fā)布時(shí)間：2019/1/12
IXTP60N20T
規(guī)格信息：
制造商:IXYS
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:Through Hole
封裝 / 箱體:TO-220AB-3
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:200 V
Id-連續(xù)漏極電流:60 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:40 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:3 V
Vgs - 柵極-源極電壓:10 V
Qg-柵極電荷:73 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 175 C
Pd-功率耗散:500 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商標(biāo)名:HiPerFET
封裝:Tube
系列:IXTP60N20
晶體管類型:1 N-Channel
商標(biāo):IXYS
正向跨導(dǎo) - 最小值:40 S
下降時(shí)間:13 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時(shí)間:13 ns
工廠包裝數(shù)量:50
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:33 ns
典型接通延遲時(shí)間:22 ns
單位重量:350 mg
