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NCEP85T12 TO-220 NCE新潔能最新型號(hào) NCEP85T12價(jià)格/供應(yīng)商

發(fā)布時(shí)間:2018/2/3

增強(qiáng)型N溝道屏蔽柵深溝槽場(chǎng)效應(yīng)管NCEP85T12 Vds=85V Ids=120A RDS(ON)<5.3mΩ @ VGS=10V,TO-220

NCEP85T12采用獨(dú)特超級(jí)溝槽工藝技術(shù)提高高頻下開(kāi)關(guān)特性,降低了器件的特征導(dǎo)通電阻(Rsp)和柵極電荷(Qg)。NCEP85T12的FOM (品質(zhì)因數(shù)(Rdson*Qg))大大降低,其軟體二極管性能可以有效降低同步整流中的電壓尖峰,實(shí)現(xiàn)在AC/DC電源的同步整流中快速開(kāi)關(guān)。同時(shí)全面提升了產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻溫度特性,有效控制了器件導(dǎo)通電阻隨溫度增加而上升的幅度,提升MOSFET器件在電能轉(zhuǎn)換過(guò)程中的系統(tǒng)效率和功率密度,同時(shí)確保在苛刻環(huán)境下開(kāi)關(guān)過(guò)程中的抗沖擊耐量。

產(chǎn)品應(yīng)用:

  • 同步整流
  • 高頻開(kāi)關(guān)電路
  • 隔離的直流-直流轉(zhuǎn)換器
品名N溝道深溝槽MOSFET NCEP85T12
型號(hào)NCEP85T12
絲印標(biāo)識(shí)NCEP85T12
品牌新潔能
封裝TO-220
器件結(jié)構(gòu)屏蔽柵深溝槽工藝
晶體管類(lèi)型單通道
晶體管極性N管
通道模式增強(qiáng)型
柵極-源極電壓 Vgs±20V
N溝道接通延遲時(shí)間(nS) 13.50
N溝道接通上升時(shí)間(nS) 12.50
N溝道關(guān)斷延遲時(shí)間(nS) 38.00
N溝道關(guān)斷下降時(shí)間(nS) 13.50
體二極管正向電壓 Vsd @ Is1.2V @ 120A
體二極管反向恢復(fù)時(shí)間 trr @ 25°C74nS
體二極管反向恢復(fù)電荷 Qrr @ 25°C176nC
最高環(huán)境工作溫度175℃
最低環(huán)境工作溫度-55℃
最小包裝數(shù)量50
包裝方法管裝
生產(chǎn)狀態(tài)現(xiàn)貨
工程技術(shù)MOSFET作用:1.場(chǎng)效應(yīng)管應(yīng)用于放大電路; 2.用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換; 3.用作可變電阻; 4.用作恒流源;5.用作電子開(kāi)關(guān)。, MOSFET特點(diǎn): 1.場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件,通過(guò)VGS來(lái)控制ID;2.場(chǎng)效應(yīng)管的輸入端電流極小,因此它的輸入電阻很大。3.它是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,溫度穩(wěn)定性較好; 4.場(chǎng)效應(yīng)管的抗輻射能力強(qiáng); 5.場(chǎng)效應(yīng)管的噪聲系數(shù)很小。
外觀尺寸10.16mm×8.70mm×4.57mm
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