NXP DC:DC電池充電器解決方案
發(fā)布時(shí)間：2017/2/23
NXP DC:DC電池充電器解決方案
時(shí)至今日，鋰離子電池為不同的便攜式設(shè)備供電，此類(lèi)設(shè)備使用快速內(nèi)部充電器，需要高級(jí)別的電壓/電流控制和溫度監(jiān)控。在此類(lèi)應(yīng)用中，設(shè)備通常在低電壓(< 3 V)下工作，高能源效率是該類(lèi)應(yīng)用的主要考量。市場(chǎng)上大部分電池技術(shù)使用外部通道元件解決方案，兩種主要途徑的區(qū)別在于：雙極結(jié)型晶體管(BJT)或一個(gè)MOSFET作為通道元件。恩智浦提供一系列具有極低飽和電壓(VCEsat)的BJT和具有高電流增益(hFE)能力的BJT。如果PMU能夠直接偏置BISS晶體管，則低VCEsat(BISS)晶體管能輕易地取代該應(yīng)用中的MOSFET。反之，則需要一個(gè)額外的小信號(hào)MOSFET控制晶體管。兩種解決方案都提供了同樣的MOSFET性能，并具有成本大幅度下降和泄漏電流極低等優(yōu)勢(shì)。
主要特性和優(yōu)勢(shì)
- 高效調(diào)光：低VCEsat(BISS)晶體管與同功率MOSFET（最新器件在電流為1 A時(shí)具有低于50 mV的超低飽和電壓）相比具有更低的正向電阻
- 低啟動(dòng)電壓（通常VBE=0.7伏，而MOSFET VGS=1.8至10伏）
- 反向阻斷功能是BISS晶體管的固有功能，不需要額外的阻流二極管
- 正增益與溫度系數(shù)
- 與無(wú)ESD保護(hù)的MOSFET相比，高ESD電平是一項(xiàng)固有功能
- 電流驅(qū)動(dòng)的控制環(huán)路對(duì)供電電壓變化不敏感
